盛美上海推出Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备

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　　ACM

　　盛美上海

　　推出 Ultra C bev-p

　　面板级边缘刻蚀设备

　　进一步完善扇出型面板级封装产品线

　　新型双面边缘刻蚀设备可提升铜相关应用的工艺效率和可靠性，支持大型面板实现高精度特性。

　　盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商，于今日推出用于扇出型面板级封装（FOPLP）应用的新型Ultra C bev-p面板边缘刻蚀设备。

　　该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。

　　盛美上海董事长王晖博士表示：

　　我们认为扇出型面板级封装的地位日益凸显，原因在于该项技术能够满足现代电子应用不断发展的需求，在集成密度、成本效率和设计灵活性方面具有优势。得益于在湿法工艺方面的深厚技术专长，盛美上海新型Ultra C bev-p设备性能卓越，属于首批可用于面板级应用的双面边缘刻蚀设备。我们期待Ultra C bev-p与今年推出的Ultra ECP ap-p面板级水平式电镀设备和Ultra C vac-p负压清洗设备共同推动具有高精度特性的大型面板先进封装行业进步以及扇出型面板级封装技术市场发展。

　　Ultra C bev-p设备采用专为边缘刻蚀和铜残留清除而设计的湿法刻蚀工艺，在扇出型面板级封装技术中起到至关重要的作用。该工艺对于有效避免电气短路、最大限度降低污染风险、保持后续工艺步骤的完整性至关重要，有助于确保器件经久耐用。该设备的高效性主要得益于盛美上海的专利技术，以应对方形面板衬底所带来的独特挑战。

　　与传统的圆形晶圆不同，盛美上海的独特设计可以实现精确的去边工艺，确保在翘曲面板的加工过程仅限于边缘区域。这一专利技术对于保持刻蚀工艺的完整性以及提供先进半导体技术所需的高性能和可靠性至关重要。

　　Ultra C bev-p

　　产品主要特点

　　Ultra C bev-p 专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。Ultra C bev-p能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由510mm x 515mm至600mm x 600mm不等，厚度在0.5mm至3mm之间。该设备可处理最大10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。

　　· 高级面板处理：Ultra C bev-p配备自动操作装置，确保搬运和传送面板过程的安全性和精确性。

　　· 高效除铜：Ultra C bev-p采用稀硫酸和过氧化物（DSP）（即：去离子水、硫酸和过氧化氢的组合），可有效去除铜。此外，该设备采用去离子水进行清洗，并利用N2进行最终干燥，确保表面清洁干燥。

　　· 高产能：Ultra C bev-p能够运行多达六个腔体，每小时可处理40个面板 (PPH)，高效实现大规模量产。

　　该系统的边缘控制精度为±0.2mm，控制范围为0-20mm。平均故障间隔时间（MTBF）为500小时，正常运行时间达95%，能够提供卓越的可靠性、稳定的性能和高运行效率。

来源：盛美上海官微

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