【芯科普】全面智能化时代，存储芯片在可穿戴智能设备中扮演何种角色

小枫来为解答以上问题。【芯科普】全面智能化时代，存储芯片在可穿戴智能设备中扮演何种角色,这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧~.~！

　　存储芯片在可穿戴智能设备中扮演何种角色？

　　全面智能化时代正在加速到来，智能穿戴设备与我们的日常生活和工作已经密不可分，以智能手表手环、TWS耳机等产品为代表的智能可穿戴设备主导了当前可穿戴设备市场的格局，产品不断衍生，以智能手表手环为例，已经发展成一个拥有多样化功能与我们日常生活紧密相连的可穿戴设备，功能覆盖了健康监测、交互娱乐、实景导航、辅助运动数据记录以及应用协同等各类功能。

　　因此，智能穿戴设备日益显著的重要性和迭代性，不断拓宽的应用边界与逐渐广范的受众人群，使得产品未来的升级方向将趋向于高性能、小体积、低功耗、大容量，智能穿戴加速升级，继而对内置的存储芯片提出了更高的要求，存储性能在数据的存储、数据的读写等方面扮演着重要的角色，高性能、小尺寸、低功耗、高可靠性的存储芯片将赋能功能日益丰富的可穿戴智能设备。

　　东芯半导体股份有限公司是一家聚焦中小容量本土存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。现在我们以东芯半导体本土存储设计公司的视角，解析如何优化产品性能以满足快速迭代的智能穿戴设备的需求。

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　　实现小体积集成优势

　　众所周知，目前市面上的智能可穿戴设备，无论是手表手环还是TWS蓝牙耳机，几乎可以说是人手一套标配，那么便携性要求对于芯片尺寸提出了更高要求，一只设备内部集成了各类担任不同功能角色的电子元器件，那小小的一只可穿戴设备里内部器件体积的大小，将决定其整体的大小，那以我们NOR Flash 为例，我们的产品拥有WLCSP封装，产品封装单片体积不到1cm3，使得在有限的空间里为其他功能元器件争取到更多的面积优势。

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　　实现低功耗性能以适配长时间待机

　　可穿戴设备芯片为了延长电池寿命、优化节能、实现实时响应、支持大规模部署、增强连接可靠性，以及更长电池寿命的期望，内置芯片将朝着更低功耗的技术发展。

　　就低功耗性能来说，比较突出的是我们DRAM 系列产品，包含DDR3(L)和LPDDR 产品两个系列。

　　公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。

　　同时针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。我们的NAND Flash 以及NOR Flash 产品当中也均包含1.8V 低工作电压产品。

　　同时更有我们的MCP系列产品具有 NAND Flash和 DDR多种容量组合， Flash和 DDR均为低电压的设计，核心电压 1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。

　　MCP通过将低功耗DRAM和NAND Flash进行合封，简化走线设计，节省组装空间，降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。

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　　大容量和高可靠性保障产品稳定运行

　　大容量和高可靠性的产品需求趋势也日渐清晰，目前可穿戴设备在智能化时代的不断推进迭代下，功能日益丰富如运动追踪、智能互动等，会产生更多的数据处理需求，那么大容量高可靠性的存储芯片能够保证数据得到有效及时的处理和存储，以保障更好地用户体验。

　　目前容量方面，东芯半导体聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb；NOR Flash 产品基于48nm、55nm制程，持续进行64Mb-1Gb的中高容量NOR Flash产品研发工作，MCP产品目前已可以向客户提供容量高至8Gb+8Gb、16Gb+16Gb的产品，可根据不同容量的目标客户群进行精确定位，保证性能、功耗和性价比的合理匹配。

　　可靠性方面，东芯持续聚焦高附加值产品，目前产品基本涵盖了满足-40℃ ~ 85℃工业级温度范围，为了顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比消费级、工业级存储芯片要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的产业化目标，目前公司SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。

来源：东芯股份官微

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