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二极管大全(2024年04月29日二极管特性)
发布时间:2024-04-29 22:41:06耿姬武来源:
今天火狐为大家解答以上的问题。二极管大全,2024年04月29日二极管特性相信很多小伙伴还不知道,现在让我们一起来看看吧!
1、二极管的特性:正向性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。
2、这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
3、当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。
4、在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。
5、当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。
6、叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。
7、硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
8、2、反向性外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。
9、由于反向电流很小,二极管处于截止状态。
10、这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
11、一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。
12、温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。
13、1)、击穿外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。
14、引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。
15、电击穿时二极管失去单向导电性。
16、如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。
17、因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
18、二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。
19、二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
20、二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。
21、主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA。
22、二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
23、2)、特性曲线与PN结一样,二极管具有单向导电性。
24、硅二极管典型伏安特性曲线(图)。
25、在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
26、对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。
27、在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。
28、当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。
29、不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
30、3、反向击穿1)、齐纳击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
31、在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。
32、如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
33、2)、雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。
34、当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。
35、新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。
36、无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结永久性损坏。
37、主要参数:用表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。
38、不同类型的二极管有不同的特性参数。
39、对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时,允许通过的最大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。
40、因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。
41、所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。
42、例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
43、2、最高反向工作电压Udrm加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。
44、为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。
45、例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
46、3、反向电流Idrm反向电流是指二极管在常温(25℃)和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。
47、反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。
48、值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。
49、例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。
50、又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。
51、故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
52、4.动态电阻Rd二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
53、5最高工作频率FmFm是二极管工作的上限频率。
54、因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。
55、所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。
56、若是超过此值。
57、则单向导电性将受影响。
58、6,电压温度系数αuzαuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。
59、uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好。
本文就为大家分享到这里,希望小伙伴们会喜欢。
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